长光华芯获得发明专利授权：“一种半导体结构的减薄方法”

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的减薄方法”，专利申请号为CN202411205903.3，授权日为2024年12月6日。

专利摘要：本发明涉及一种半导体结构的减薄方法。半导体结构的减薄方法包括：提供半导体结构；半导体结构包括正面和待减薄的背面；提供第一基板；将半导体结构的正面与第一基板一侧键合，对半导体结构的背面进行减薄；提供第二基板，第二基板中具有第一吸附孔；在第二基板的一侧表面设置缓冲膜，缓冲膜中具有第二吸附孔；利用第二基板从缓冲膜一侧吸附半导体结构；吸附状态下，第一吸附孔与第二吸附孔至少部分贯通；将半导体结构的正面与第一基板解键合。本发明提供的半导体结构的减薄方法可以减少半导体结构在解键合过程中出现的缺陷和划痕。

今年以来长光华芯新获得专利授权18个，较去年同期减少了52.63%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6219.78万元，同比增13.56%。

数据来源：天眼查APP

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